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Silicon carbide −400 mesh particle size, ≥97.5%; CAS Nuer: 409-21-2; EC Nuer: 206-991-8; Linear Formula: CSi; find Sigma-Aldrich-357391 MSDS, related peer-reviewed papers, technical documents, similar products & more at Sigma-Aldrich.

Silicon carbide - Substance Information - ECHA

The molecular formula identifies each type of element by its chemical syol and identifies the nuer of atoms of each element found in one discrete molecule of the substance. This information is only displayed if the substance is well–defined, its identity is not claimed confidential and there is sufficient information available in ECHA’s databases for ECHA’s algorithms to generate a

Silicon Carbide in Circumstellar Environment - NASA/ADS

The presence of small clusters of silicon carbide (SiC) in circumstellar dust shells surrounding late-type stars is inferred from a broad emission feature peaking at around 11µm in infrared spectra [1]. These clusters are expected to condense from molecular arrangements composed of a few carbon and silicium atoms which are present in stellar winds surrounding carbon-rich late-type stars. We

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Silicium in Estonian, translation, English-Estonian Dictionary

en Additional information collected in the investigation confirmed that the main criterion used to distinguish the type and quality of aluminium used is the percentage of silicium (7% or 11%). EurLex-2

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La conductivité électrique du carbure de silicium est un semi-conducteurs, qui peut être dopée par l''azote de type n ou du phosphore et de p-type en aluminium, bore, de gallium ou du béryllium. Conductivité métallique a été réalisé par de lourdes dopage avec bore, de l''aluminium ou d''azote.

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Aperçu du marché Carbure de silicium résistant à la chaleur mondial 2019-2026 | Toshiba Corporation, Fairchild Semiconductor International, Genesic Semiconductor, Infineon Technologies, Microsemi Corporation apexresearch avril 12, 2020

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229 Etude d une interface carbone-silicium dans un ruban de silicium polycristallinJ. Goma, M. Oberlin et A. OberlinLaboratoire Marcel Mathieu, ER 131 du C.N.R.S., UER Sciences,Université d Orléans, Château de la Source, 45046 Orléans Cedex, France

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Beschrijving Wetsteen silicium-carbide Uitvoering: 2-zijdig te gebruiken | Voorkant extra-fijn, achterkant grof | Toepassing Voor de universele bewerking bij nat- en droogschuren | Aanwijzing: Na natschuren met olie of petroleum niet meer te gebruiken voor droogschuren.

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Silicium - L’Élémentarium

Le silicium est un semi-conducteur intrinsèque dont la largeur de bande interdite est de 1,12 eV et la résistivité de 2 000 W.m (1,7.10-3 W.m pour le cuivre, 10 13 W.m pour le diamant). de type n : avec ajout de P, As, Sb (1 atome pour 10 5 à 10 8 atomes de Si).

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